Лаборатория моделирования физических процессов

Заведующий лабораторий:
Ядгаров Ишмумин Джаббарович
доктор физико-математических наук
e-mail: yadgarov@iplt.uz

Области научных исследований лаборатории:

  • Процесс осаждение атомов и кластеров на графен;
  • Фотоионизация атомов и эндоэдральных атомов;
  • Фоторасщепление отрицательных ионов линейных углеродных молекул;
  • Фотоионизация нанотрубок;
  • Распыление графена.

Научный коллектив лаборатории объединяет молодых специалистов и имеющих многолетний опыт сотрудников, имеющих степени доктора и кандидата наук, а также студентов магистратуры и бакалавриата.

Научная группа лаборатории «Моделирование физических процессов» ИИПиЛТ АН РУз имеет многолетний опыт работы в области теоретического исследования процессов взаимодействия электронов, фотонов и положительных ионов с элементами углеродных наноструктур как изолированных, так и адсорбированных на поверхности кристаллов, в том числе и методами компьютерного моделирования. Были построены математические модели металлических кластеров, выявлены особенности процессов распыления (в том числе, кластерообразования) при скользящей атомной и кластерной бомбардировке поверхности монокристаллов металлов, получены данные о кластерообразования в зависимости от массы, энергии, размера бомбардирующих кластеров, выявлены механизмы формирования наноструктур ионной имплантацией под скользящими углами в приповерхностные слои кристаллов.

- было проведено сравнительное исследование спин-орбитальных эффектов в процессах фотоионизации изолированных атомов Cs, Ba и Xe и этих же атомов, находящихся внутри фуллереновой полости С60. Установлено, что в атомах с полузаполненными оболочками (Cs и Ba) клетка С60 существенно деформирует частотные зависимости параметров углового распределения фотоэлектронов в окрестности спин-орбитальных резонансов.

- было исследовано на примере молекулы Xe@C60 взаимодействие confinement резонансов с плазменными резонансами электронной подсистемы фуллереновой оболочки. Показано, что деструктивная и конструктивная интерференция этих резонансов особенно важна вблизи порога ионизации атомных подоболочек, где гигантский резонанс C60 значительно искажает частотные характеристики фотопроцессов в этой молекуле по сравнению со свободным атомом Xe.

- были рассчитаны фотоэлектронные спектры эндоэдральных атомов N@C60 и P@C60, локализованных на различных гранях монокристалла кремния и установлена связь между формой спектра и геометрией адсорбции молекул. Показано, что форма фотоэлектронного спектра чрезвычайно чувствительна как к точке адсорбции молекулы на поверхности, так и к ориентации молекулярных осей фуллереновой клетки относительно кристаллографических направлений. Это дает основания рекомендовать фотоэлектронную спектроскопию в качестве метода контроля при аранжировании молекул N@C60 и P@C60на поверхности кристалла Si.

Среди научных достижений следует отметить сертификат «Certificate from Journal of Physics B: Atomic, Molecular and Optical Physics» на статью Балтенкова А.С. и др. «Interference in the molecular photoionization and Young’s double-slit experiment» который выбран редакций журнала как highlights of 2012 на основе цитируемости, новизны, научной значимости. В настоящее время, в научной лаборатории «Моделирование физических процессов» ИИПиЛТ АН РУз, МНС Стельмах В.Г. работает над диссертацией доктора философии. Сотрудники лаборатории участвуют в педагогической деятельности института текстильной и легкой промышленности, дают студентам современные представления о новейших достижениях в области наноэлектроники и проводят совместную научную работу с профессорско-преподавательским составом.

В рамках научного международного сотрудничества лаборатория осуществляет взаимодействия с проф. F.M. Peters, проф. A. Bogaerts (Антверпенский университет. Бельгия), проф. A. Msezane (Clark Atlanta University США), проф. S. Manson (Georgia State University, США), проф. U. Becker (Fritz-Haber-Institute, Germany).

Основные научные фундаментальные результаты:

  • Исследована фотоионизация нанотрубки в модели одномерного движения электрона. Определено влияние графена на фотоионизацию адсорбированных на графене атомов.
  • Определены энергии связывания семи-, двенадцати- и тринадцати атомных углеродных круговых кластеров с графеном.
  • Определены результаты рассеяния атомов углерода с энергиями 10 и 100 эВ на графене в зависимости от угла и места падения на графен. Определено влияние графена, лежащего на карбиде кремния, на угловые и энергетические характеристики рассеянных атомов.
  • Найдены зависимости вероятности осаждения атома, димера и тримера углерода от энергии осаждения.

Свидетельства об официальной регистрации программ для электронно-вычислительных машин:

  1. Программа для задания случайного положения и ориентции кластера атомов (№DGU03241);
  2. Программа для построения пространственного расположения атомов в гомогенных и бинарных графеноподобных структурах (№DGU 03641);
  3. Программа для построения пространственного расположения атомов в гомогенных и бинарных алмазоподобных структурах с вакансиями (№DGU 03741).

к.ф.-м.н. И.Д. Ядгаров обсуждает научные результаты в Антверпенском университете г. Антверпен (Бельгия)

к.ф.-м.н. И.Д. Ядгаров на конференции IVESC, Санкт-Петербург, Россия.

м.н.с. Стельмах В.Г. выступает на международной конференции IPEC-7, Ташкент