Эргашова Ёкуба Сувоновича на тему «Физико-технологические основы формирования и электронно-оптические свойства наноразмерных структур, созданных в приповерхностных слоях кристаллов Nb, Si, CdTe и CaF2 ионной бомбардировкой» представляемой на соискание ученой степени доктора наук (DSc), направление физико-математическим наукам по специальности 01.04.04 – «Физическая электроника». Защита состоится 15 декабря 2020 года в 14:00 часов в Институте ионно-плазменных и лазерных технологий АН РУз.